Hersteller Produktnummer:
FQD2N100TM
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FQD2N100TM-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 1000 V 1.6A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventar:
12845820
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FQD2N100TM Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
QFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
1000 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
1.6A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
9Ohm @ 800mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
15.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
520 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.5W (Ta), 50W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-252AA
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
FQD2N100
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
FQD2N100TMTR
FQD2N100TM-DG
FQD2N100TMCT
ONSONSFQD2N100TM
2832-FQD2N100TM
2156-FQD2N100TM-OS
FQD2N100TMDKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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