Hersteller Produktnummer:
FQD17P06TM
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FQD17P06TM-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 60 V 12A (Tc) 2.5W (Ta), 44W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventar:
26225 Stück Neu Original Auf Lager
12849003
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FQD17P06TM Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
QFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
135mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
27 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
900 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.5W (Ta), 44W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-252AA
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
FQD17P06
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
FQD17P06TMCT
FQD17P06TMDKR
FQD17P06TMTR
FQD17P06TM-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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