FQD13N10LTM
Hersteller Produktnummer:

FQD13N10LTM

Product Overview

Hersteller:

onsemi

Teilenummer:

FQD13N10LTM-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 10A (Tc) 2.5W (Ta), 40W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Inventar:

3288 Stück Neu Original Auf Lager
12839806
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN

FQD13N10LTM Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
QFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
180mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
520 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.5W (Ta), 40W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-252AA
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
FQD13N10

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
2,500
Andere Namen
FQD13N10LTMCT
FQD13N10LTM-DG
FQD13N10LTMTR
FQD13N10LTMDKR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
onsemi

FQD20N06LTF

MOSFET N-CH 60V 17.2A DPAK

onsemi

FQD6N40CTF

MOSFET N-CH 400V 4.5A DPAK

onsemi

FDS6680AS

MOSFET N-CH 30V 11.5A 8SOIC

onsemi

FQD2N80TM

MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK