FQB9P25TM
Hersteller Produktnummer:

FQB9P25TM

Product Overview

Hersteller:

onsemi

Teilenummer:

FQB9P25TM-DG

Beschreibung:

MOSFET P-CH 250V 9.4A D2PAK
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 250 V 9.4A (Tc) 3.13W (Ta), 120W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventar:

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FQB9P25TM Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Reihe
QFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
250 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
9.4A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
620mOhm @ 4.7A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1180 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3.13W (Ta), 120W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-263 (D2PAK)
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
FQB9

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
FQB9P25TM
HTML-Datenblatt
FQB9P25TM-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
800
Andere Namen
FQB9P25TMDKR
FQB9P25TM-DG
FQB9P25TMTR
FQB9P25TMCT

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
IRF9640STRLPBF
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
5539
TEILNUMMER
IRF9640STRLPBF-DG
Einheitspreis
0.92
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