Hersteller Produktnummer:
FQB8N60CFTM
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FQB8N60CFTM-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 6.26A D2PAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 6.26A (Tc) 147W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventar:
12836292
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FQB8N60CFTM Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
FRFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
6.26A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.5Ohm @ 3.13A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1255 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
147W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-263 (D2PAK)
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
FQB8
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
800
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
STB6N60M2
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
11994
TEILNUMMER
STB6N60M2-DG
Einheitspreis
0.57
ERSATZART
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