FQB65N06TM
Hersteller Produktnummer:

FQB65N06TM

Product Overview

Hersteller:

onsemi

Teilenummer:

FQB65N06TM-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 60V 65A D2PAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 65A (Tc) 3.75W (Ta), 150W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventar:

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FQB65N06TM Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
QFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
65A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
16mOhm @ 32.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
65 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2410 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3.75W (Ta), 150W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-263 (D2PAK)
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
FQB6

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
FQB65N06TM
HTML-Datenblatt
FQB65N06TM-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
800

Umwelt- und Exportklassifizierung

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
BUK7613-60E,118
HERSTELLER
Nexperia USA Inc.
VERFÜGBARE ANZAHL
3002
TEILNUMMER
BUK7613-60E,118-DG
Einheitspreis
0.64
ERSATZART
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