Hersteller Produktnummer:
FQB27N25TM-F085
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FQB27N25TM-F085-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 250V 25.5A D2PAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 250 V 25.5A (Tc) 417W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventar:
12837468
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Menge
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FQB27N25TM-F085 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
250 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
25.5A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
131mOhm @ 25.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
49 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1800 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
417W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-263 (D2PAK)
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
FQB27
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
800
Andere Namen
FQB27N25TM_F085TR-DG
FQB27N25TM-F085DKR
FQB27N25TM_F085-DG
FQB27N25TM_F085CT-DG
FQB27N25TM_F085TR
2832-FQB27N25TM-F085TR
FQB27N25TM-F085TR
FQB27N25TM_F085
FQB27N25TM_F085CT
FQB27N25TM_F085DKR-DG
FQB27N25TM-F085CT
FQB27N25TM_F085DKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IPB600N25N3GATMA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
4968
TEILNUMMER
IPB600N25N3GATMA1-DG
Einheitspreis
1.32
ERSATZART
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