Hersteller Produktnummer:
FQB22P10TM-F085
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FQB22P10TM-F085-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 100V 22A D2PAK
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 100 V 22A (Tc) 3.75W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventar:
12848513
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FQB22P10TM-F085 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
QFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
22A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
125mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1500 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3.75W (Ta), 125W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-263 (D2PAK)
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
FQB2
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
800
Andere Namen
FQB22P10TM_F085TR
FQB22P10TM_F085DKR
FQB22P10TM_F085DKR-DG
FQB22P10TM_F085CT-DG
FQB22P10TM_F085
FQB22P10TM_F085CT
FQB22P10TM-F085DKR
FQB22P10TM-F085CT
FQB22P10TM-F085TR
FQB22P10TMF085
FQB22P10TM_F085TR-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
FQB22P10TM
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
FQB22P10TM-DG
Einheitspreis
0.79
ERSATZART
Parametric Equivalent
Teilenummer
IRF9540NSTRLPBF
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
4795
TEILNUMMER
IRF9540NSTRLPBF-DG
Einheitspreis
0.75
ERSATZART
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