FQAF5N90

Hersteller Produktnummer:

FQAF5N90

Product Overview

Hersteller:

onsemi

Teilenummer:

FQAF5N90-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 900V 4.1A TO3PF

Detaillierte Beschreibung:

N-Channel 900 V 4.1A (Tc) 90W (Tc) Through Hole TO-3PF

Inventar:

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FQAF5N90 Technische Spezifikationen

Kategorie

FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs

Hersteller

onsemi

Verpackung

-

Reihe

QFET®

Produktstatus

Obsolete

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain zur Quellspannung (Vdss)

900 V

Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C

4.1A (Tc)

Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)

10V

Rds Ein (Max) @ Id, Vgs

2.3Ohm @ 2.05A, 10V

vgs(th) (max.) @ id

5V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

40 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds

1550 pF @ 25 V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

90W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Art der Montage

Through Hole

Gerätepaket für Lieferanten

TO-3PF

Paket / Koffer

TO-3P-3 Full Pack

Basis-Produktnummer

FQAF5

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket

360

Umwelt- und Exportklassifizierung

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-Status

REACH Unaffected

ECCN (Englisch)

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI-Zertifizierung

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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