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Häufig gestellte Fragen
Hersteller Produktnummer:
FQAF58N08
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FQAF58N08-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 80V 44A TO3PF
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 80 V 44A (Tc) 85W (Tc) Through Hole TO-3PF
Inventar:
Angebot Anfrage Online
12848799
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EINREICHEN
FQAF58N08 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
QFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
80 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
44A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
24mOhm @ 22A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
65 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1900 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
85W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-3PF
Paket / Koffer
TO-3P-3 Full Pack
Basis-Produktnummer
FQAF5
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
FQAF58N08
HTML-Datenblatt
FQAF58N08-DG
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
30
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IXTQ75N10P
HERSTELLER
IXYS
VERFÜGBARE ANZAHL
3
TEILNUMMER
IXTQ75N10P-DG
Einheitspreis
2.44
ERSATZART
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