Hersteller Produktnummer:
FQA8N90C-F109
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FQA8N90C-F109-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 900V 8A TO3PN
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 900 V 8A (Tc) 240W (Tc) Through Hole TO-3PN
Inventar:
179 Stück Neu Original Auf Lager
12836996
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FQA8N90C-F109 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tube
Reihe
QFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
900 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.9Ohm @ 4A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2080 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
240W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-3PN
Paket / Koffer
TO-3P-3, SC-65-3
Basis-Produktnummer
FQA8
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
450
Andere Namen
FQA8N90C_F109
2832-FQA8N90C-F109-488
FQA8N90C_F109-DG
ONSONSFQA8N90C-F109
2832-FQA8N90C-F109
2156-FQA8N90C-F109-OS
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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