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Häufig gestellte Fragen
Hersteller Produktnummer:
FJX4010RTF
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FJX4010RTF-DG
Beschreibung:
TRANS PREBIAS PNP 40V SOT323
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 40 V 100 mA 200 MHz 200 mW Surface Mount SOT-323
Inventar:
Angebot Anfrage Online
12847181
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FJX4010RTF Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
PNP - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
40 V
Widerstand - Basis (R1)
10 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
100 @ 1mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 1mA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA (ICBO)
Frequenz - Übergang
200 MHz
Leistung - Max
200 mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SC-70, SOT-323
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-323
Basis-Produktnummer
FJX401
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
FJX4010RTF
HTML-Datenblatt
FJX4010RTF-DG
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Alternative Modelle
Teilenummer
RN2311(TE85L,F)
HERSTELLER
Toshiba Semiconductor and Storage
VERFÜGBARE ANZAHL
2610
TEILNUMMER
RN2311(TE85L,F)-DG
Einheitspreis
0.05
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