FJV4101RMTF
Hersteller Produktnummer:

FJV4101RMTF

Product Overview

Hersteller:

onsemi

Teilenummer:

FJV4101RMTF-DG

Beschreibung:

TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 200 MHz 200 mW Surface Mount SOT-23-3

Inventar:

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12850783
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FJV4101RMTF Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
PNP - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Widerstand - Basis (R1)
4.7 kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
4.7 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
20 @ 10mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA (ICBO)
Frequenz - Übergang
200 MHz
Leistung - Max
200 mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-23-3
Basis-Produktnummer
FJV410

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
FJV4101RMTFDKR
FJV4101RMTFTR
FJV4101RMTF-DG
FJV4101RMTFCT

Umwelt- und Exportklassifizierung

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075

Alternative Modelle

Teilenummer
MMUN2133LT1G
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
1260
TEILNUMMER
MMUN2133LT1G-DG
Einheitspreis
0.01
ERSATZART
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certification_01
certification_02
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cr
certification_015
certification_08
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