FJV3112RMTF
Hersteller Produktnummer:

FJV3112RMTF

Product Overview

Hersteller:

onsemi

Teilenummer:

FJV3112RMTF-DG

Beschreibung:

TRANS PREBIAS NPN 40V SOT23-3
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 40 V 100 mA 250 MHz 200 mW Surface Mount SOT-23-3

Inventar:

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12835620
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FJV3112RMTF Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
NPN - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
40 V
Widerstand - Basis (R1)
47 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
100 @ 1mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 1mA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA (ICBO)
Frequenz - Übergang
250 MHz
Leistung - Max
200 mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-23-3
Basis-Produktnummer
FJV311

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
FJV3112RMTF
HTML-Datenblatt
FJV3112RMTF-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000

Umwelt- und Exportklassifizierung

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075

Alternative Modelle

Teilenummer
RN1413(TE85L,F)
HERSTELLER
Toshiba Semiconductor and Storage
VERFÜGBARE ANZAHL
115
TEILNUMMER
RN1413(TE85L,F)-DG
Einheitspreis
0.03
ERSATZART
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PDTC144TT,215
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