Hersteller Produktnummer:
FJP5027RTU
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FJP5027RTU-DG
Beschreibung:
TRANS NPN 800V 3A TO220-3
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 800 V 3 A 15MHz 50 W Through Hole TO-220-3
Inventar:
12849663
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FJP5027RTU Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Last Time Buy
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
3 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
800 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
2V @ 300mA, 1.5A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
10µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
15 @ 200mA, 5V
Leistung - Max
50 W
Frequenz - Übergang
15MHz
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-220-3
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220-3
Basis-Produktnummer
FJP5027
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
2156-FJP5027RTU-OS
ONSONSFJP5027RTU
2832-FJP5027RTU
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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