Hersteller Produktnummer:
FJP2160DTU
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FJP2160DTU-DG
Beschreibung:
TRANS NPN 800V 2A TO220-3
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 800 V 2 A 5MHz 100 W Through Hole TO-220-3
Inventar:
12848540
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
FJP2160DTU Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
ESBC™
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
2 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
800 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
750mV @ 330mA, 1A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
20 @ 400mA, 3V
Leistung - Max
100 W
Frequenz - Übergang
5MHz
Betriebstemperatur
-55°C ~ 125°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-220-3
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220-3
Basis-Produktnummer
FJP216
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
2832-FJP2160DTU
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
KSC5603DTU
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
4300
TEILNUMMER
KSC5603DTU-DG
Einheitspreis
0.57
ERSATZART
Similar
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
BD1386S
TRANS PNP 60V 1.5A TO126-3
MJ11016G
TRANS NPN DARL 120V 30A TO204
DSA7504Q0L
TRANS PNP 20V 4A MINIP3
