Hersteller Produktnummer:
FJN4302RTA
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FJN4302RTA-DG
Beschreibung:
TRANS PREBIAS PNP 50V TO92-3
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 200 MHz 300 mW Through Hole TO-92-3
Inventar:
12848863
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FJN4302RTA Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
PNP - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Widerstand - Basis (R1)
10 kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
10 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
30 @ 5mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA (ICBO)
Frequenz - Übergang
200 MHz
Leistung - Max
300 mW
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Gerätepaket für Lieferanten
TO-92-3
Basis-Produktnummer
FJN430
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,000
Andere Namen
2166-FJN4302RTA-488
2832-FJN4302RTATR
FJN4302RTA-DG
FJN4302RTATB
FJN4302RTACT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Alternative Modelle
Teilenummer
MMUN2111LT1G
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
439085
TEILNUMMER
MMUN2111LT1G-DG
Einheitspreis
0.01
ERSATZART
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