Hersteller Produktnummer:
FJI5603DTU
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FJI5603DTU-DG
Beschreibung:
TRANS NPN 800V 3A I2PAK
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 800 V 3 A 5MHz 100 W Through Hole TO-262 (I2PAK)
Inventar:
1536 Stück Neu Original Auf Lager
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FJI5603DTU Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
3 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
800 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
2.5V @ 200mA, 1A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
20 @ 400mA, 3V
Leistung - Max
100 W
Frequenz - Übergang
5MHz
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Gerätepaket für Lieferanten
TO-262 (I2PAK)
Basis-Produktnummer
FJI5603
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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