Hersteller Produktnummer:
FJB102TM
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FJB102TM-DG
Beschreibung:
TRANS NPN DARL 100V 8A D2PAK
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 8 A 80 W Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventar:
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FJB102TM Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN - Darlington
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
8 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
100 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
2.5V @ 80mA, 8A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
50µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
1000 @ 3A, 4V
Leistung - Max
80 W
Frequenz - Übergang
-
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gerätepaket für Lieferanten
TO-263 (D2PAK)
Basis-Produktnummer
FJB102
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
800
Andere Namen
FJB102TMTR
2156-FJB102TM-OS
FJB102TMCT
ONSONSFJB102TM
FJB102TMDKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
NJVMJB41CT4G
HERSTELLER
Fairchild Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
57600
TEILNUMMER
NJVMJB41CT4G-DG
Einheitspreis
0.53
ERSATZART
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Teilenummer
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Einheitspreis
0.62
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