Hersteller Produktnummer:
FDW258P
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FDW258P-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 12V 9A 8TSSOP
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 12 V 9A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 8-TSSOP
Inventar:
12846528
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Menge
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FDW258P Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
PowerTrench®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
12 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
9A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
1.8V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
11mOhm @ 9A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
73 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
5049 pF @ 5 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.3W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-TSSOP
Paket / Koffer
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Basis-Produktnummer
FDW25
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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