Hersteller Produktnummer:
FDT86246
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FDT86246-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 150V 2A SOT223-4
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 150 V 2A (Ta) 2.2W (Ta) Surface Mount SOT-223-4
Inventar:
5563 Stück Neu Original Auf Lager
12839596
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
FDT86246 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
PowerTrench®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
150 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
2A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
236mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
4 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
215 pF @ 75 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.2W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-223-4
Paket / Koffer
TO-261-4, TO-261AA
Basis-Produktnummer
FDT86
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
4,000
Andere Namen
FDT86246CT
FDT86246DKR
2166-FDT86246-488
FDT86246-DG
FDT86246TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
FDP55N06
MOSFET N-CH 60V 55A TO220-3
FDMS8460
MOSFET N-CH 40V 25A/49A 8PQFN
FDMS3662
MOSFET N-CH 100V 8.9A/49A 8PQFN
