Hersteller Produktnummer:
FDT86102LZ
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FDT86102LZ-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 6.6A SOT223-4
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 6.6A (Ta) 2.2W (Ta) Surface Mount SOT-223-4
Inventar:
7191 Stück Neu Original Auf Lager
12848072
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FDT86102LZ Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
PowerTrench®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
6.6A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
28mOhm @ 6.6A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1490 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.2W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-223-4
Paket / Koffer
TO-261-4, TO-261AA
Basis-Produktnummer
FDT86102
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
4,000
Andere Namen
FDT86102LZ-DG
FDT86102LZFSTR
FDT86102LZFSCT
FDT86102LZFSDKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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