FDS8333C
Hersteller Produktnummer:

FDS8333C

Product Overview

Hersteller:

onsemi

Teilenummer:

FDS8333C-DG

Beschreibung:

MOSFET N/P-CH 30V 4.1A 8SOIC
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 30V 4.1A, 3.4A 900mW Surface Mount 8-SOIC

Inventar:

12847296
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FDS8333C Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
PowerTrench®
Produktstatus
Obsolete
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
N and P-Channel
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
4.1A, 3.4A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
80mOhm @ 4.1A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
6.6nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
282pF @ 10V
Leistung - Max
900mW
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gerätepaket für Lieferanten
8-SOIC
Basis-Produktnummer
FDS83

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
2,500

Umwelt- und Exportklassifizierung

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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