FDS6982S
Hersteller Produktnummer:

FDS6982S

Product Overview

Hersteller:

onsemi

Teilenummer:

FDS6982S-DG

Beschreibung:

MOSFET 2N-CH 30V 6.3A/8.6A 8SOIC
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 30V 6.3A, 8.6A 900mW Surface Mount 8-SOIC

Inventar:

12838572
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN

FDS6982S Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
PowerTrench®, SyncFET™
Produktstatus
Obsolete
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
6.3A, 8.6A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
28mOhm @ 6.3A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2040pF @ 10V
Leistung - Max
900mW
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gerätepaket für Lieferanten
8-SOIC
Basis-Produktnummer
FDS69

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
2,500

Umwelt- und Exportklassifizierung

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
onsemi

FDC6322C

MOSFET N/P-CH 25V 0.22A SSOT6

onsemi

FDMS9600S

MOSFET 2N-CH 30V 12A 8MLP PWR56

onsemi

FDC8602

MOSFET 2N-CH 100V 1.2A SSOT6

onsemi

EFC6604R-TR

MOSFET 2N-CH 6EFCP