FDS6961A_F011
Hersteller Produktnummer:

FDS6961A_F011

Product Overview

Hersteller:

onsemi

Teilenummer:

FDS6961A_F011-DG

Beschreibung:

MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8SOIC
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 30V 3.5A 900mW Surface Mount 8-SOIC

Inventar:

12837280
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
num_del num_add
*
*
*
*
SwGw
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN

FDS6961A_F011 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
PowerTrench®
Produktstatus
Obsolete
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
3.5A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
90mOhm @ 3.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
4nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
220pF @ 15V
Leistung - Max
900mW
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gerätepaket für Lieferanten
8-SOIC
Basis-Produktnummer
FDS69

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
4,000

Umwelt- und Exportklassifizierung

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
IRF9956TRPBF
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
297
TEILNUMMER
IRF9956TRPBF-DG
Einheitspreis
0.43
ERSATZART
Direct
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
onsemi

FDMD82100L

MOSFET 2N-CH 100V 7A 12POWER

onsemi

FDS6986AS

MOSFET 2N-CH 30V 6.5A/7.9A 8SOIC

onsemi

FDG6301N-F085P

MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC70-6

onsemi

FDMD8540L

MOSFET 2N-CH 40V 33A 8PWR 5X6