Hersteller Produktnummer:
FDS6892A
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FDS6892A-DG
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8SOIC
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 20V 7.5A 900mW Surface Mount 8-SOIC
Inventar:
12839947
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FDS6892A Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
onsemi
Verpackung
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Reihe
PowerTrench®
Produktstatus
Obsolete
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
7.5A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
18mOhm @ 7.5A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
17nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1333pF @ 10V
Leistung - Max
900mW
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gerätepaket für Lieferanten
8-SOIC
Basis-Produktnummer
FDS68
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
FDS6892ADKR
FDS6892ATR
FDS6892A-DG
2832-FDS6892ATR
FDS6892ACT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IRF8915TRPBF
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
IRF8915TRPBF-DG
Einheitspreis
0.78
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