Hersteller Produktnummer:
FDS6673BZ-F085
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FDS6673BZ-F085-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 30V 14.5A 8SOIC
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 30 V 14.5A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventar:
12851192
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FDS6673BZ-F085 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
PowerTrench®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
14.5A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
7.8mOhm @ 14.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
124 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
4700 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.5W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-SOIC
Paket / Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Basis-Produktnummer
FDS66
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
ONSONSFDS6673BZ-F085
FDS6673BZ-F085TR
FDS6673BZ_F085TR-DG
FDS6673BZ_F085CT-DG
2156-FDS6673BZ-F085-OS
FDS6673BZ_F085CT
FDS6673BZ_F085DKR-DG
FDS6673BZ-F085CT
FDS6673BZ_F085-DG
FDS6673BZ_F085TR
FDS6673BZ-F085DKR
FDS6673BZ_F085DKR
FDS6673BZ_F085
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IPZ40N04S55R4ATMA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
6302
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IPZ40N04S55R4ATMA1-DG
Einheitspreis
0.33
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