Hersteller Produktnummer:
FDS6162N3
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FDS6162N3-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 20V 21A 8SO
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 20 V 21A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount 8-SO FLMP
Inventar:
12850681
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Menge
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FDS6162N3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
PowerTrench®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
21A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
2.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
4.5mOhm @ 21A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
73 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
5521 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-SO FLMP
Paket / Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Basis-Produktnummer
FDS61
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
FDS6162N3CT-NDR
FDS6162N3_NLCT
FDS6162N3_NLCT-DG
FDS6162N3_NLTR
FDS6162N3CT
FDS6162N3TR-NDR
FDS6162N3TR
FDS6162N3_NLTR-DG
FDS6162N3DKR
FDS6162N3_NL
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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