FDS3812
Hersteller Produktnummer:

FDS3812

Product Overview

Hersteller:

onsemi

Teilenummer:

FDS3812-DG

Beschreibung:

MOSFET 2N-CH 80V 3.4A 8SOIC
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 80V 3.4A 900mW Surface Mount 8-SOIC

Inventar:

12930522
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FDS3812 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
PowerTrench®
Produktstatus
Obsolete
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain zur Quellspannung (Vdss)
80V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
3.4A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
74mOhm @ 3.4A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
18nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
634pF @ 40V
Leistung - Max
900mW
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gerätepaket für Lieferanten
8-SOIC
Basis-Produktnummer
FDS38

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
2,500

Umwelt- und Exportklassifizierung

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
IRF7103TRPBF
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
9567
TEILNUMMER
IRF7103TRPBF-DG
Einheitspreis
0.29
ERSATZART
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