Hersteller Produktnummer:
FDS3170N7
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FDS3170N7-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 6.7A 8SO
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 6.7A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount 8-SO FLMP
Inventar:
12839286
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
FDS3170N7 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
PowerTrench®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
6.7A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
26mOhm @ 6.7A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
77 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2714 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-SO FLMP
Paket / Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Basis-Produktnummer
FDS31
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
FDS3170N7_NLTR
FDS3170N7CT-NDR
FDS3170N7DKR
FDS3170N7TR
FDS3170N7_NLTR-DG
FDS3170N7_NL
FDS3170N7_NLCT
FDS3170N7CT
FDS3170N7TR-NDR
FDS3170N7_NLCT-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
FDMS3672
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
5020
TEILNUMMER
FDMS3672-DG
Einheitspreis
1.18
ERSATZART
Similar
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
FCP16N60N-F102
MOSFET N-CH 600V 16A TO220F
FQD1P50TF
MOSFET P-CH 500V 1.2A DPAK
FDB7030BL
MOSFET N-CH 30V 60A TO263AB
