Hersteller Produktnummer:
FDR858P
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FDR858P-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 30V 8A SUPERSOT8
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 30 V 8A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-8
Inventar:
12847149
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Menge
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FDR858P Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
8A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
19mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2010 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.8W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
SuperSOT™-8
Paket / Koffer
8-LSOP (0.130", 3.30mm Width)
Basis-Produktnummer
FDR85
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
FDR858P-DG
FDR858PCT
FDR858PDKR
FDR858PTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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