Hersteller Produktnummer:
FDPF8N50NZ
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FDPF8N50NZ-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 500V 8A TO220F
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 500 V 8A (Tc) 40.3W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Inventar:
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12849231
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FDPF8N50NZ Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tube
Reihe
UniFET™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
500 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
850mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
735 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
40.3W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220F-3
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack
Basis-Produktnummer
FDPF8
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
2156-FDPF8N50NZ-OS
FAIFSCFDPF8N50NZ
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
R5009ANX
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
R5009ANX-DG
Einheitspreis
1.23
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