Hersteller Produktnummer:
FDPF12N35
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FDPF12N35-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 350V 12A TO220F
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 350 V 12A (Tc) 31.3W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Inventar:
12838071
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FDPF12N35 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
UniFET™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
350 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
380mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1110 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
31.3W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220F-3
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack
Basis-Produktnummer
FDPF1
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
RCX100N25
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
429
TEILNUMMER
RCX100N25-DG
Einheitspreis
0.86
ERSATZART
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