Hersteller Produktnummer:
FDP8870-F085
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FDP8870-F085-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 19A/156A TO220-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 19A (Ta), 156A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventar:
12851181
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FDP8870-F085 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
PowerTrench®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
19A (Ta), 156A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
4.1mOhm @ 35A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
132 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
5200 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
160W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220-3
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
FDP88
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
400
Andere Namen
FDP8870_F085
FDP8870_F085-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
PSMN4R3-30PL,127
HERSTELLER
Nexperia USA Inc.
VERFÜGBARE ANZAHL
4699
TEILNUMMER
PSMN4R3-30PL,127-DG
Einheitspreis
0.72
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