FDP7N50
Hersteller Produktnummer:

FDP7N50

Product Overview

Hersteller:

onsemi

Teilenummer:

FDP7N50-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 500V 7A TO220-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 500 V 7A (Tc) 89W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventar:

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FDP7N50 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
UniFET™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
500 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
7A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
900mOhm @ 3.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
16.6 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
940 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
89W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220-3
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
FDP7

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
FDP7N50
HTML-Datenblatt
FDP7N50-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
1,000
Andere Namen
2832-FDP7N50
2832-FDP7N50-488

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
STP9NK50Z
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
477
TEILNUMMER
STP9NK50Z-DG
Einheitspreis
1.05
ERSATZART
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Teilenummer
STP8NM50N
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VERFÜGBARE ANZAHL
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STP8NM50N-DG
Einheitspreis
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