Hersteller Produktnummer:
FDP3651U
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FDP3651U-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 80A (Tc) 255W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventar:
798 Stück Neu Original Auf Lager
12837068
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FDP3651U Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tube
Reihe
PowerTrench®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
18mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
69 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
5522 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
255W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220-3
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
FDP36
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
1990-FDP3651U
488-FDP3651U
1990-FDP3651U-DG
488-FDP3651U-DG
488-FDP3651UINACTIVE
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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