Hersteller Produktnummer:
FDP2710-F085
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FDP2710-F085-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 250V 4A TO220-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 250 V 4A (Ta) 403W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventar:
12838694
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FDP2710-F085 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
PowerTrench®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
250 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
4A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
47mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
101 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
5690 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
403W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220-3
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
FDP2710
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
800
Andere Namen
FDP2710_F085
FDP2710_F085-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IXTP50N25T
HERSTELLER
IXYS
VERFÜGBARE ANZAHL
533
TEILNUMMER
IXTP50N25T-DG
Einheitspreis
2.35
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