Hersteller Produktnummer:
FDP18N20F
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FDP18N20F-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 200V 18A TO220-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 200 V 18A (Tc) 100W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventar:
12930621
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Menge
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FDP18N20F Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
UniFET™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
200 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
145mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
26 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1180 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
100W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220-3
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
FDP18
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
2156-FDP18N20F-488
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
FDPF18N20FT
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
FDPF18N20FT-DG
Einheitspreis
0.60
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
IRF640NPBF
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
63317
TEILNUMMER
IRF640NPBF-DG
Einheitspreis
0.41
ERSATZART
Direct
DIGI-Zertifizierung
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