FDN5630-G
Hersteller Produktnummer:

FDN5630-G

Product Overview

Hersteller:

onsemi

Teilenummer:

FDN5630-G-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 1.7A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3

Inventar:

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12972180
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FDN5630-G Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
PowerTrench®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
1.7A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
100mOhm @ 1.7A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
560 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
500mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-23-3
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
488-FDN5630-GTR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
OBSOLETE

Alternative Modelle

Teilenummer
FDN5630
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
5620
TEILNUMMER
FDN5630-DG
Einheitspreis
0.09
ERSATZART
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