Hersteller Produktnummer:
FDMS86350ET80
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FDMS86350ET80-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 80V 25A/198A POWER56
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 80 V 25A (Ta), 198A (Tc) 3.3W (Ta), 187W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Inventar:
19489 Stück Neu Original Auf Lager
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FDMS86350ET80 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
PowerTrench®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
80 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
25A (Ta), 198A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
8V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
2.4mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
155 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
8030 pF @ 40 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3.3W (Ta), 187W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-PQFN (5x6)
Paket / Koffer
8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer
FDMS86350
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
FDMS86350ET80TR
FDMS86350ET80DKR
2156-FDMS86350ET80-OS
FDMS86350ET80CT
ONSONSFDMS86350ET80
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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