FDMS86202ET120

Hersteller Produktnummer:

FDMS86202ET120

Product Overview

Hersteller:

onsemi

Teilenummer:

FDMS86202ET120-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 120V 13.5/102A PWR56

Detaillierte Beschreibung:

N-Channel 120 V 13.5A (Ta), 102A (Tc) 3.3W (Ta), 187W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)

Inventar:

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12840057

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FDMS86202ET120 Technische Spezifikationen

Kategorie

FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs

Hersteller

onsemi

Verpackung

Tape & Reel (TR)

Reihe

PowerTrench®

Produktstatus

Active

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain zur Quellspannung (Vdss)

120 V

Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C

13.5A (Ta), 102A (Tc)

Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)

6V, 10V

Rds Ein (Max) @ Id, Vgs

7.2mOhm @ 13.5A, 10V

vgs(th) (max.) @ id

4V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

64 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds

4585 pF @ 60 V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.3W (Ta), 187W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Art der Montage

Surface Mount

Gerätepaket für Lieferanten

8-PQFN (5x6)

Paket / Koffer

8-PowerTDFN

Basis-Produktnummer

FDMS86202

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

HTML-Datenblatt

FDMS86202ET120-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket

3,000

Andere Namen

FDMS86202ET120TR

FDMS86202ET120CT

FDMS86202ET120DKR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status

ROHS3 Compliant

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-Status

REACH Unaffected

ECCN (Englisch)

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI-Zertifizierung

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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