Hersteller Produktnummer:
FDMS86200
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FDMS86200-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 150 V 9.6A (Ta), 35A (Tc) 2.5W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Inventar:
21294 Stück Neu Original Auf Lager
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FDMS86200 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
PowerTrench®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
150 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
9.6A (Ta), 35A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
18mOhm @ 9.6A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
46 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2715 pF @ 75 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.5W (Ta), 104W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-PQFN (5x6)
Paket / Koffer
8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer
FDMS86
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
2156-FDMS86200-488
FDMS86200DKR
2832-FDMS86200-488
FDMS86200TR
FDMS86200CT
2832-FDMS86200TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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