Hersteller Produktnummer:
FDMS86181
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FDMS86181-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 44A/124A 8PQFN
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 44A (Ta), 124A (Tc) 2.5W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Inventar:
5232 Stück Neu Original Auf Lager
12923400
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
FDMS86181 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
PowerTrench®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
44A (Ta), 124A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
4.2mOhm @ 44A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
59 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
4125 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.5W (Ta), 125W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-PQFN (5x6)
Paket / Koffer
8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer
FDMS86
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
2832-FDMS86181TR
ONSONSFDMS86181
FDMS86181DKR
FDMS86181TR
FDMS86181CT
2156-FDMS86181-OS
FDMS86181-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
JANTXV2N6796
MOSFET N-CH 100V 8A TO205AF
FQP3N30
MOSFET N-CH 300V 3.2A TO220-3
JANTXV2N7228
MOSFET N-CH 500V 12A TO254AA