Hersteller Produktnummer:
FDMD8580
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FDMD8580-DG
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 80V 16A/82A PWR56
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 80V 16A (Ta), 82A (Tc) 2.3W Surface Mount Power56
Inventar:
12839574
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
FDMD8580 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
PowerTrench®
Produktstatus
Obsolete
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
-
Drain zur Quellspannung (Vdss)
80V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
16A (Ta), 82A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
4.6mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
80nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
5875pF @ 40V
Leistung - Max
2.3W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
8-PowerWDFN
Gerätepaket für Lieferanten
Power56
Basis-Produktnummer
FDMD85
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
FDMD8580TR
FDMD8580CT
FDMD8580DKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
NX7002BKXBZ
MOSFET 2N-CH 60V 0.26A 6DFN
FDS8984-F085
MOSFET 2N-CH 30V 7A 8SOIC
EFC6602R-TR
MOSFET 2N-CH EFCP2718