Hersteller Produktnummer:
FDMD85100
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FDMD85100-DG
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 100V 10.4A POWER56
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 100V 10.4A 2.2W Surface Mount Power56
Inventar:
12850250
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Menge
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FDMD85100 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
PowerTrench®
Produktstatus
Obsolete
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Funktion
-
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
10.4A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
9.9mOhm @ 10.4A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
31nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2230pF @ 50V
Leistung - Max
2.2W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
8-PowerWDFN
Gerätepaket für Lieferanten
Power56
Basis-Produktnummer
FDMD85
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
FDMD85100DKR
FDMD85100CT
FDMD85100TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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