Hersteller Produktnummer:
FDMC86261P
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FDMC86261P-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 150V 2.7A/9A 8MLP
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 150 V 2.7A (Ta), 9A (Tc) 2.3W (Ta), 40W (Tc) Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3)
Inventar:
761 Stück Neu Original Auf Lager
12850619
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
FDMC86261P Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
PowerTrench®
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
150 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
2.7A (Ta), 9A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
160mOhm @ 2.4A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1360 pF @ 75 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.3W (Ta), 40W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-MLP (3.3x3.3)
Paket / Koffer
8-PowerWDFN
Basis-Produktnummer
FDMC86261
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
FDMC86261PCT
FDMC86261PTR
FDMC86261PDKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
BSP321PL6327HTSA1
MOSFET P-CH 100V 980MA SOT223-4
FDY102PZ
MOSFET P-CH 20V 830MA SC89-3
FQD5N40TF
MOSFET N-CH 400V 3.4A DPAK
