FDMC86160

Hersteller Produktnummer:

FDMC86160

Product Overview

Hersteller:

onsemi

Teilenummer:

FDMC86160-DG

Beschreibung:

MOSFET N CH 100V 9A POWER33

Detaillierte Beschreibung:

N-Channel 100 V 9A (Ta), 43A (Tc) 2.3W (Ta), 54W (Tc) Surface Mount Power33

Inventar:

3663 Stück Neu Original Auf Lager

12849042

Angebot anfordern

Menge
Mindestens 1

(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden

EINREICHEN

FDMC86160 Technische Spezifikationen

Kategorie

FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs

Hersteller

onsemi

Verpackung

Tape & Reel (TR)

Reihe

PowerTrench®

Produktstatus

Active

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain zur Quellspannung (Vdss)

100 V

Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C

9A (Ta), 43A (Tc)

Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)

6V, 10V

Rds Ein (Max) @ Id, Vgs

14mOhm @ 9A, 10V

vgs(th) (max.) @ id

4V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

22 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds

1290 pF @ 50 V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.3W (Ta), 54W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Art der Montage

Surface Mount

Gerätepaket für Lieferanten

Power33

Paket / Koffer

8-PowerWDFN

Basis-Produktnummer

FDMC86

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket

3,000

Andere Namen

FDMC86160DKR

FDMC86160CT

FDMC86160TR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status

ROHS3 Compliant

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-Status

REACH Unaffected

ECCN (Englisch)

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI-Zertifizierung

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Ähnliche Produkte

onsemi

FQD11P06TF

MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK

alpha-and-omega-semiconductor

AO3424

MOSFET N-CH 30V 3.8A SOT23-3L

onsemi

FQP8P10

MOSFET P-CH 100V 8A TO220-3

onsemi

FQPF6N40CT

MOSFET N-CH 400V 6A TO220F