FDMC6686P

Hersteller Produktnummer:

FDMC6686P

Product Overview

Hersteller:

onsemi

Teilenummer:

FDMC6686P-DG

Beschreibung:

MOSFET P-CH 20V 18A/56A 8PQFN

Detaillierte Beschreibung:

P-Channel 20 V 18A (Ta), 56A (Tc) 2.3W (Ta), 40W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (3.3x3.3), Power33

Inventar:

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FDMC6686P Technische Spezifikationen

Kategorie

FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs

Hersteller

onsemi

Verpackung

-

Reihe

PowerTrench®

Produktstatus

Obsolete

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain zur Quellspannung (Vdss)

20 V

Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C

18A (Ta), 56A (Tc)

Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)

1.8V, 4.5V

Rds Ein (Max) @ Id, Vgs

4mOhm @ 18A, 4.5V

vgs(th) (max.) @ id

1V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

122 nC @ 4.5 V

Vgs (Max)

±8V

Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds

13200 pF @ 10 V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.3W (Ta), 40W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Art der Montage

Surface Mount

Gerätepaket für Lieferanten

8-PQFN (3.3x3.3), Power33

Paket / Koffer

8-PowerWDFN

Basis-Produktnummer

FDMC6686

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket

3,000

Andere Namen

FDMC6686PTR

FDMC6686PCT

FDMC6686PDKR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status

ROHS3 Compliant

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-Status

REACH Unaffected

ECCN (Englisch)

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI-Zertifizierung

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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