Hersteller Produktnummer:
FDMA291P
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FDMA291P-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 20V 6.6A 6MICROFET
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 20 V 6.6A (Ta) 2.4W (Ta) Surface Mount 6-MicroFET (2x2)
Inventar:
40 Stück Neu Original Auf Lager
12847525
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FDMA291P Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
PowerTrench®
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
6.6A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
1.8V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
42mOhm @ 6.6A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
14 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1000 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.4W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
6-MicroFET (2x2)
Paket / Koffer
6-WDFN Exposed Pad
Basis-Produktnummer
FDMA291
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
FDMA291PDKR
FDMA291PCT
FDMA291PTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
PMPB33XP,115
HERSTELLER
NXP USA Inc.
VERFÜGBARE ANZAHL
31498
TEILNUMMER
PMPB33XP,115-DG
Einheitspreis
0.08
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