Hersteller Produktnummer:
FDM3622
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FDM3622-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 4.4A 8MLP
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 4.4A (Ta) 2.1W (Ta) Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3)
Inventar:
3580 Stück Neu Original Auf Lager
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FDM3622 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
PowerTrench®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
4.4A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
60mOhm @ 4.4A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1090 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.1W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-MLP (3.3x3.3)
Paket / Koffer
8-PowerWDFN
Basis-Produktnummer
FDM362
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
FDM3622DKR
FDM3622-DG
FDM3622TR
FDM3622CT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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